En este proyecto vamos a realizar un estupendo amplificador para audio de 150W FET.
Los transistor de efecto del campo o FET.
Esta formado por una barra de semiconductor N o P que se llama el canal, tiene un cinturón o estrechamiento del otro tipo de semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el cinturón se une al terminal G (Gate, compuerta).
Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente ID que depende de la resistencia del canal, si se aplica un voltaje VGS negativo (G = -, S = +) el diodo formado por el cinturón y el canal queda en inverso y no hay corriente de compuerta (IG = 0) pero el voltaje negativo es G repele las cargas negativas que pasan por el canal que aparece como un aumento de resistencia y la corriente ID disminuye, haciendo mayor o menor la magnitud de VGS haremos que ID disminuya o aumente, así se obtiene un control de ID, siendo la variable de control del voltaje VGS.
Los transistores FET y MOSFET se usan como amplificadores, donde su característica más importante es su alta impedancia de entrada por efecto de IG = 0
La primera etapa está constituida por un amplificador diferencial conformado por T1 y T2. En cascada con este se encuentra otro amplificador del mismo tipo pero formado por T3 Y T5. A su vez este subcircuito se encuentra polarizado por el espejo de corriente que constituyen T5, D1 y R10.
La etapa de salida, compuesta por T6 y T7, es una amplificador complementario Mos-Fet. La carga de salida, para una potencia de 150W, es de 4 Ω. No obstante puede ser utilizado sobre una de 8Ω sin ningún tipo de problemas.
La primera vez que se usa es necesario efectuar una única calibración de la siguiente manera: sin el altavoz colocado medir la corriente entre la salida y masa. Ajustar P1 hasta obtener una lectura de entre 80 y 120mA.
Se necesita una fuente de alimentación simétrica de unos +-55v aproximadamente para alimentar este circuito, podemos crear una siguiendo este enlace que os pongo a continuación
Enlace para construir una Fuente simétrica de 55v valida para este proyecto.
Resistencias | Condensadores | Semiconductores |
---|---|---|
R1 – 2k2Ω | C1 – 10µF / 25V | T1, T2 – 2A872A |
R2, R6, R9 – 47kΩ | C2 – 47pF | T3, T4 – 2SD756 |
R3 – 1kΩ | C3 – 47µF / 50V | T5 – 2SB716 |
R4, R5 – 3k9Ω | C4, C5 – 27pF | T6 – 2SK135 |
R5 – 3k9Ω | C6 – 6,8nF | T7 – 2SJ50 |
R7, R10, R11, R13, R14 – 100Ω | C7, C10. C11 – 100nF | D1 – 1N4001 |
R8 – 33kΩ | C8, C9 – 220µF / 50V | L1 – 15 vueltas de alambre de cobre 0.9 sobre un núcleo de 9mm |
R12 – 12kΩ / 1W | ||
R15 – 47Ω / 3W |
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