Diodo
punta de contacto
El diodo de punta de contacto, a diferencia de los diodos semiconductores comunes de silicio (Si), se fabrica empleando dos cristales de diferente polaridad puestos en contacto uno con otro para formar una unión tipo “p-n”.
Los diodos de punta de contacto o “de señal”, como los de germanio (Ge), por ejemplo, se construyen utilizando un alambre de tungsteno con una fina punta que hace presión sobre el cristal semiconductor de germanio.
El tungsteno es un elemento químico conocido también por el nombre de volframio o wolframio y su símbolo de identificación en la Tabla Periódica de los Elementos es “W”.
El diodo de germanio (Ge) fue el primero que se utilizó ampliamente como detector de radiofrecuencia en los circuitos electrónicos de los receptores de radio a partir de la primera mitad del siglo pasado.
En la actualidad, este tipo de diodo ha sido sustituido casi por completo por otros “de señal”, fabricados con silicio, concebidos para trabajar también con corrientes de altas frecuencias o radiofrecuencia.
Poseen unas propiedades similares a los diodos de unión y la única diferencia es, en todo caso, el sistema de construcción que se ha aplicado al diodo punta de contacto.
En la imagen se muestra un esquema de uno de estos elementos que consta de una punta de contacto en forma de muelle (1) que se halla conectada con un cristal de tipo P (2), el cual se halla a su vez en contacto con un cristal de tipo N (3). En la parte baja, una base metálica hace de soporte y asegura la rigidez del conjunto.
Exactamente igual que ocurre con los diodos de unión, el diodo de punta de contacto se comporta dejando pasar la corriente en un solo sentido.