Vamos a montar un preamplificador de recepción de RF para los 144Mhz (Banda 2m), este diseño esta montado utilizando un transistor MOSFET de canal N, que es básicamente un amplificador y mezclador de señal de bajo ruido.
Descripción
Transistor MOSFET de canal N, fabricado en silicio de doble puerta.
Características técnicas
- Disipación total del dispositivo (Pd): 0.225 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 6 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 0.02 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2.1 pF
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 200 Ohm
- Empaquetado / Estuche: SOT103
Construcción de las Bobinas del preamplificador de recepción RF 144Mhz
- Bobina L-1: 6 espiras, hilo de 1m/m, con diámetro de7m/m, longitud 18m/m, toma en la 1ª espira del lado de masa.
- Bobina L-2: 6 espiras, hilo de 1m/m, con diámetro de7m/m, longitud 1m/m, toma en la 2-3ª espira experimentar para adaptar impedancia.
Lista de componentes
Alimentación
- V máx: simple 12 V DC
- I máx: 0.3A